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    IGBT模塊FZ1000R33HL3
    點擊次數:438 更新時間:2023-11-17

    IGBT模塊FZ1000R33HL3

    IGBT模塊FZ1000R33HE3

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    品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

    英飛凌工業半導體 2023-11-10 08:01 

    新品

    采用 1200V SiC M1H芯片的

    62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

    圖片


    1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了 M1H芯片技術,模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料(TIM)版本。


    相關產品:

    • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半橋模塊

    圖片


    產品特點

    集成體二極管,優化了熱阻

    最高的防潮性能

    柵極氧化層可靠性

    抗宇宙射線能力強

    符合RoHS標準要求


    應用價值

    按照應用苛刻條件優化

    更低的電壓過沖

    導通損耗最小

    高速開關,損耗極低

    對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為

    標準模塊封裝技術確??煽啃?/p>

    62毫米高產量生產線上生產


    競爭優勢

    通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

    電流密度最高,防潮性能強


    應用領域


    儲能系統

    電動汽車充電

    光伏逆變器

    UPS



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